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SPP11N80C3 PDF資料
  • 資料下載
  • 制造商:INFINEON[Infineon Technologies AG]
  • PDF文件大?。?98.14 Kbytes
  • PDF文件頁數(shù):共10頁
  • 描述:Cool MOS Power Transistor
SPP11N80C3技術(shù)規(guī)格
  • 制造商:Infineon
  • 產(chǎn)品種類:MOSFET
  • RoHS:
  • 技術(shù):Si
  • 安裝風(fēng)格:Through Hole
  • 封裝 / 箱體:PG-TO-220-3
  • 通道數(shù)量:1 Channel
  • 晶體管極性:N-Channel
  • Vds-漏源極擊穿電壓:800 V
  • Id-連續(xù)漏極電流:11 A
  • Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:450 mOhms
  • Vgs th-柵源極閾值電壓:2.1 V
  • Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
  • Qg-柵極電荷:64 nC
  • 最小工作溫度:- 55 C
  • 最大工作溫度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:156 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 商標(biāo)名:CoolMOS
  • 封裝:Tube
  • 高度:15.65 mm
  • 長度:10 mm
  • 系列:CoolMOS C3
  • 晶體管類型:1 N-Channel
  • 寬度:4.4 mm
  • 商標(biāo):Infineon Technologies
  • 下降時(shí)間:10 ns
  • 產(chǎn)品類型:MOSFET
  • 上升時(shí)間:15 ns
  • 工廠包裝數(shù)量:500
  • 子類別:MOSFETs
  • 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:72 ns
  • 典型接通延遲時(shí)間:25 ns
  • 零件號(hào)別名:SP000683158 SPP11N80C3XKSA1 SPP11N8C3XK
  • 單位重量:6 g
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