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STL30P3LLH6 PDF資料
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制造商:STMicroelectronics
PDF文件大?。?.15 Mbytes
PDF文件頁數(shù):共15頁
描述:MOSFET P-channel 30 V, 0.024 Ohm typ., 30 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in a PowerFLAT(TM) 5x6 package
STL30P3LLH6技術(shù)規(guī)格
制造商: STMicroelectronics
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 是
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PowerFLAT-5x6-8
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 9 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 30 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V
Qg-柵極電荷: 12 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 4.8 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: STripFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
系列: STL30P3LLH6
商標(biāo): STMicroelectronics
下降時間: 21 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 15 ns
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 24 ns
典型接通延遲時間: 15 ns
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