�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r(sh��)��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖(h��o)
- Ʒ��
- ���b
- ��̖(h��o)
- ��(k��)�攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r(ji��)
-
��̖(h��o)о������̄�(w��)�����ڣ�����˾
13��
0755-8366305618922805453��18929374037��18922803401�B0755-82537787�����и���^(q��)�A��(qi��ng)��·1019̖(h��o)�A��(qi��ng)�V��(ch��ng)D��23��11016516
-
-
-
-
�����ջ�
STWA48N60M2 PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]
- PDF�������776.23 Kbytes
- PDF��(y��)��(sh��)����12�(y��)
- ������Extremely low gate charge
STWA48N60M2���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- ������:STMicroelectronics
- �a(ch��n)Ʒ�N�:MOSFET
- RoHS:��
- ���g(sh��):Si
- ���b�L(f��ng)��:Through Hole
- ���b / ���w:TO-247-3
- ͨ����(sh��)��:1 Channel
- ���w�ܘO��:N-Channel
- Vds-©Դ�O����늉�:650 V
- Id-�B�m(x��)©�O���:42 A
- Rds On-©Դ��(d��o)ͨ���:70 mOhms
- Vgs th-��Դ�O�ֵ늉�:2 V
- Vgs - �ŘO-Դ�O늉�:25 V
- Qg-�ŘO늺�:70 nC
- ��С�����ض�:- 55 C
- ������ض�:+ 150 C
- Pd-���ʺ�ɢ:300 W
- ����:Single
- ͨ��ģʽ:Enhancement
- �̘�(bi��o)��:MDmesh
- ϵ��:STWA48N60M2
- ���w�����:1 N-Channel
- �̘�(bi��o):STMicroelectronics
- �½��r(sh��)�g:119 ns
- �a(ch��n)Ʒ���:MOSFET
- �����r(sh��)�g:17 ns
- ���S���b��(sh��)��:600
- ��e:MOSFETs
- �����P(gu��n)�]���t�r(sh��)�g:13 ns
- ���ͽ�ͨ���t�r(sh��)�g:18.5 ns
ُ(g��u)�I(m��i)����ԃ�a(ch��n)ƷՈ(q��ng)?zh��)�?xi��)ԃ�r(ji��)��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
STWA48N60M2���P(gu��n)��̖(h��o)