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SUP45P03-09-GE3 PDF資料
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  • 制造商：Vishay Siliconix
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  • PDF文件頁(yè)數(shù)：共7頁(yè)
  • 描述：MOSFET P-CH 30V 45A TO220AB
SUP45P03-09-GE3技術(shù)規(guī)格
  • 系列：SUP
  • 商標(biāo)名：TrenchFET
  • FET類(lèi)型：P 溝道
  • 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）：30V
  • 電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）：45A（Tc）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250μA
  • 不同Vgs時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：90nC @ 10V
  • 不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：2700pF @ 15V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 功率耗散（最大值）：73.5W（Tc）
  • 不同?Id，Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：8.7 毫歐 @ 20A，10V
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類(lèi)型：通孔
  • 封裝/外殼：TO-220-3
  • 無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs
購(gòu)買(mǎi)、咨詢(xún)產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚?xiě)詢(xún)價(jià)信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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