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    0755-8257355217302670049陳敏深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)A座13樓11012046

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  • 集好芯城

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    0755-2390318013360063783楊先生深圳市福田區(qū)深南中路3023號(hào)漢國(guó)中心55樓11010804

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    0755-84875764”13725596657“17503034873曾先生深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)501棟110311012598

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    1812404712018124047120韓雪華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)A16樓01012660

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  • 深圳市芯冪科技有限公司

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    13267088774 (微信同號(hào))Alien深圳市福田區(qū)福田街道福安社區(qū)民田路178號(hào)華融大廈240511012790

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  • 深圳市宇浩揚(yáng)科技有限公司

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    0755-8322300313826514222余先生,張先生0755-83249919深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)201棟31611011818

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  • 深圳市鵬盛源電子有限公司

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    0755-8836140213713892033湯先生,楊小姐0755-88361402華強(qiáng)電子世界3號(hào)樓2樓2A18701010719

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SUP50010E-GE3 PDF資料
  • 資料下載
  • 制造商:Vishay / Siliconix
  • PDF文件大?。?40.41 Kbytes
  • PDF文件頁(yè)數(shù):共6頁(yè)
  • 描述:MOSFET 60V Vds; 20V Vgs TO-220AB
SUP50010E-GE3技術(shù)規(guī)格
  • 制造商:Vishay
  • 產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
  • RoHS:
  • 技術(shù):Si
  • 安裝風(fēng)格:Through Hole
  • 封裝 / 箱體:TO-220AB-3
  • 通道數(shù)量:1 Channel
  • 晶體管極性:N-Channel
  • Vds-漏源極擊穿電壓:60 V
  • Id-連續(xù)漏極電流:150 A
  • Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:2 mOhms
  • Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V
  • Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
  • Qg-柵極電荷:212 nC
  • 最小工作溫度:- 55 C
  • 最大工作溫度:+ 175 C
  • Pd-功率耗散:375 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 封裝:Tube
  • 晶體管類(lèi)型:1 N-Channel
  • 商標(biāo):Vishay / Siliconix
  • 正向跨導(dǎo) - 最小值:120 S
  • 下降時(shí)間:13 ns
  • 產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET
  • 上升時(shí)間:112 ns
  • 工廠包裝數(shù)量:50
  • 子類(lèi)別:MOSFETs
  • 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:50 ns
  • 典型接通延遲時(shí)間:28 ns
購(gòu)買(mǎi)、咨詢(xún)產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚?xiě)詢(xún)價(jià)信息:(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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