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    SUP50N10-21P-GE3

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    10年

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  • 深圳市輝華拓展電子有限公司

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  • 深圳市宇浩揚(yáng)科技有限公司

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  • 深圳市驚羽科技有限公司

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  • 深圳市芯世界半導(dǎo)體有限公司

    10年

    13267088774(微信同號(hào))Sam深圳市福田區(qū)華強(qiáng)電子世界1號(hào)樓10A8240主營(yíng)品牌：TI/德州儀器、ST/意法、MICROCHIP/微芯、ADI/亞德諾、ALLEGRO/雅麗高、NXP/恩智浦、ON/安森美、RENESAS/瑞薩、ROHM/羅姆、ALTERA/阿爾特拉、CYPRESS/賽普拉斯、INFINEON/英飛凌、ISS01011808

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  • 深圳市坤融電子有限公司

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    17年

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SUP50N10-21P-GE3 PDF資料
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  • 制造商：Vishay Siliconix
  • PDF文件大?。?22.76 Kbytes
  • PDF文件頁(yè)數(shù)：共7頁(yè)
  • 描述：MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB
SUP50N10-21P-GE3技術(shù)規(guī)格
  • 系列：TrenchFET?
  • FET類(lèi)型：N 溝道
  • 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
  • 電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）：50A（Tc）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
  • 不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
  • 不同Vgs時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：68nC @ 10V
  • 不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：2055pF @ 50V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），125W（Tc）
  • 不同?Id，Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：21 毫歐 @ 10A，10V
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類(lèi)型：通孔
  • 封裝/外殼：TO-220AB
  • 封裝形式Package：TO-220-3
  • 極性Polarity：N-CH
  • 漏源極擊穿電壓VDSS：100V
  • 連續(xù)漏極電流ID：50A
  • 漏源極導(dǎo)通電阻RDS(ON)：21mOhms
  • 柵源極閥值電壓VGS(th)：4V
  • 無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs
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