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  • 深圳市百視威訊電子科技有限公司

    10年

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  • 深圳市坤融電子有限公司

    17年

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  • 深圳市宇浩揚(yáng)科技有限公司

    10年

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  • 深圳市天卓偉業(yè)電子有限公司

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SUP75P05-08-E3 PDF資料
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  • 制造商：Vishay Siliconix
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  • PDF文件頁數(shù)：共6頁
  • 描述：MOSFET P-CH 55V 75A TO220AB
SUP75P05-08-E3技術(shù)規(guī)格
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：500
  • 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭：FET - 單
  • 系列：TrenchFET®
  • 包裝：剪切帶（CT）
  • FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
  • FET 功能：邏輯電平門
  • 漏源極電壓（Vdss）：55V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：75A（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：8 毫歐 @ 30A，10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：225nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：8500pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：3.7W
  • 安裝類型：通孔
  • 封裝/外殼：TO-220-3
  • 供應(yīng)商器件封裝：TO-220AB
  • 其它名稱：SUP75P05-08-E3CTSUP75P05-08-E3CT-NDSUP75P0508E3
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