�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r(sh��)��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖
- Ʒ��
- ���b
- ��̖
- ��攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r(ji��)
-
��̖о������̄�(w��)�����ڣ�����˾
13��
0755-8366305618922805453��18929374037��18922803401�B0755-82537787�����и���^(q��)�A��(qi��ng)��·1019̖�A��(qi��ng)�V��D��23��11016516
-
-
-
-
�����ջ�
-
������о����댧(d��o)�w����˾
10��
13267088774(��̖ͬ)Sam�����и���^(q��)�A��(qi��ng)�������1̖��10A8240���IƷ�ƣ�TI/���݃x����ST/�ⷨ��MICROCHIP/о��ADI/�����Z��ALLEGRO/��������NXP/��������ON/��ɭ����RENESAS/���_��ROHM/�_ķ��ALTERA/����������CYPRESS/ِ����˹��INFINEON/Ӣ�w����ISS01011808
-
TC58NYG1S3EBAI5
��1�l������̖��Ϣ
- Toshiba Memory��
- ԭ�b��
- 2019+��
- 2560��
- ԭ�b��Ʒ��
-


TC58NYG1S3EBAI5 PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]
- PDF�������489.01 Kbytes
- PDF�ļ�퓔�(sh��)����65�
- ������MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 2 GBIT (256M ?? 8 BIT) CMOS NAND E2PROM
TC58NYG1S3EBAI5���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- ������:Toshiba
- �a(ch��n)Ʒ�N�:NAND�W��
- RoHS:��
- ���b�L(f��ng)��:SMD/SMT
- ���b / ���w:TFBGA-63
- �惦����:2 Gbit
- �ӿ����:Parallel
- �M��:256 M x 8
- ���r(sh��)���:Synchronous
- ��(sh��)��(j��)��������:8 bit
- �Դ늉�-��С:1.7 V
- �Դ늉�-���:1.95 V
- �Դ��������ֵ:30 mA
- ��С�����ض�:- 40 C
- ������ض�:+ 85 C
- ���b:Tray
- �惦���:NAND
- �a(ch��n)Ʒ:NAND Flash
- �ٶ�:25 ns
- �Y(ji��)��(g��u):Block Erase
- �̘�(bi��o):Toshiba Memory
- ���r(sh��)��l��:-
- ���������:Yes
- �a(ch��n)Ʒ���:NAND Flash
- ���S���b��(sh��)��:180
- ��e:Memory & Data Storage
ُ�I����ԃ�a(ch��n)ƷՈ?zh��)ԃ�r(ji��)��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
TC58NYG1S3EBAI5���P(gu��n)��̖