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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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TN0201K-T1-E3 PDF資料
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- 制造商:VISHAY[Vishay Siliconix]
- PDF文件大小:76.87 Kbytes
- PDF文件頁(yè)數(shù):共5頁(yè)
- 描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
TN0201K-T1-E3技術(shù)規(guī)格
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
- 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
- 家庭:FET - 單
- 系列:TrenchFET®
- 包裝:帶卷(TR)
- FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET 功能:邏輯電平門(mén)
- 漏源極電壓(Vdss):20V
- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):420mA(Ta)
- 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1 歐姆 @ 300mA,10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):1.5nC @ 10V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):-
- 功率 - 最大值:350mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3(TO-236)
- 其它名稱:TN0201K-T1-E3TRTN0201KT1E3
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