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    13267088774(微信同號)Sam深圳市福田區(qū)華強(qiáng)電子世界1號樓10A8240主營品牌:TI/德州儀器、ST/意法、MICROCHIP/微芯、ADI/亞德諾、ALLEGRO/雅麗高、NXP/恩智浦、ON/安森美、RENESAS/瑞薩、ROHM/羅姆、ALTERA/阿爾特拉、CYPRESS/賽普拉斯、INFINEON/英飛凌、ISS01011808

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    0755-8257355217302670049陳敏深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號A座13樓11012046

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VND7NV04-E PDF資料
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  • 制造商:STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]
  • PDF文件大?。?19.37 Kbytes
  • PDF文件頁數(shù):共37頁
  • 描述:OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
VND7NV04-E技術(shù)規(guī)格
  • 制造商:STMicroelectronics
  • 產(chǎn)品種類:MOSFET
  • RoHS:
  • 技術(shù):Si
  • 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體:TO-252-3
  • 通道數(shù)量:1 Channel
  • 晶體管極性:N-Channel
  • Id-連續(xù)漏極電流:6 A
  • Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:60 mOhms
  • Qg-柵極電荷:18 nC
  • 最小工作溫度:- 40 C
  • 最大工作溫度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:60 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 資格:AEC-Q101
  • 封裝:Tube
  • 系列:VND7NV04
  • 晶體管類型:1 N-Channel OMNIFET II Power MOSFET
  • 商標(biāo):STMicroelectronics
  • 正向跨導(dǎo) - 最小值:9 S
  • 下降時間:350 ns, 3.6 us
  • 濕度敏感性:Yes
  • 產(chǎn)品類型:MOSFET
  • 上升時間:470 ns, 4.6 us
  • 工廠包裝數(shù)量:3000
  • 子類別:MOSFETs
  • 典型關(guān)閉延遲時間:500 ns, 5.4 us
  • 典型接通延遲時間:100 ns, 0.75 us
  • 單位重量:4 g
購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r信息:(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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