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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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VNN3NV04PTR-E PDF資料
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- 制造商:STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]
- PDF文件大小:284.38 Kbytes
- PDF文件頁數(shù):共22頁
- 描述:OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
VNN3NV04PTR-E技術(shù)規(guī)格
- 制造商:STMicroelectronics
- 產(chǎn)品種類:門驅(qū)動器
- RoHS:是
- 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers
- 類型:Low Side
- 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
- 封裝 / 箱體:SOT-223
- 激勵器數(shù)量:1 Driver
- 輸出端數(shù)量:1 Output
- 輸出電流:3.5 A
- 上升時間:250 ns
- 下降時間:250 ns
- 電源電壓-最小:2.5 V
- 電源電壓-最大:55 V
- 工作電源電流:100 uA
- Pd-功率耗散:35 W
- 最小工作溫度:- 40 C
- 最大工作溫度:+ 150 C
- 系列:VNN3NV04P-E
- 資格:AEC-Q100
- 封裝:Cut Tape
- 封裝:MouseReel
- 封裝:Reel
- 工作溫度范圍:- 40 C to + 150 C
- 技術(shù):Si
- 商標:STMicroelectronics
- 最大關(guān)閉延遲時間:450 ns (Typ)
- 最大開啟延遲時間:90 ns (Typ)
- 濕度敏感性:Yes
- 產(chǎn)品類型:Gate Drivers
- 工廠包裝數(shù)量:1000
- 子類別:PMIC - Power Management ICs
- 單位重量:112 mg
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