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柒號芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號華強(qiáng)廣場D座23樓11016516
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ZXMP4A57E6TA PDF資料
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- 制造商：Diodes Incorporated
- PDF文件大?。?87.50 Kbytes
- PDF文件頁數(shù)：共8頁
- 描述：MOSFET MOSFET BVDSS 31V-40 SOT26,3K
ZXMP4A57E6TA技術(shù)規(guī)格
- Rohs：Lead free / RoHS Compliant
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
- FET 型
：MOSFET P-Channel, Metal Oxide
- FET特點：Logic Level Gate
- 漏極至源極電壓（VDSS）：40V
- 電流-連續(xù)漏極（編號）@ 25°C：2.9A
- Rds（最大）@ ID，VGS：80 mOhm @ 4A, 10V
- VGS（TH）（最大）@ Id：3V @ 250μA
- 柵極電荷（Qg）@ VGS：15.8nC @ 10V
- 輸入電容（Ciss）@?Vds的：833pF @ 20V
- 功率 - 最大：1.1W
- 安裝類型
：Surface Mount
- 包/盒
：SOT-23-6
- 供應(yīng)商器件封裝：SOT-26
- 包裝材料
：Tape & Reel (TR)
- 包裝：6SOT-26
- 渠道類型：P
- 通道模式：Enhancement
- 最大漏源電壓：40 V
- 最大連續(xù)漏極電流：3.7 A
- RDS -于：80@10V mOhm
- 最大門源電壓：±20 V
- 典型導(dǎo)通延遲時間：2.5 ns
- 典型上升時間：3.3 ns
- 典型關(guān)閉延遲時間：47 ns
- 典型下降時間：21 ns
- 工作溫度：-55 to 150 °C
- 安裝：Surface Mount
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：Tape & Reel
- 最大門源電壓：±20
- 包裝寬度：1.6
- PCB：6
- 最大功率耗散：1700
- 最大漏源電壓：40
- 歐盟RoHS指令：Compliant
- 最大漏源電阻：80@10V
- 每個芯片的元件數(shù)：1
- 最低工作溫度：-55
- 供應(yīng)商封裝形式：SOT-26
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝名稱：SOT-26
- 最高工作溫度：150
- 包裝長度：3
- 引腳數(shù)：6
- 包裝高度：1.1
- 最大連續(xù)漏極電流：3.7
- 封裝：Tape and Reel
- 鉛形狀：Gull-wing
- FET特點：Logic Level Gate
- 安裝類型：Surface Mount
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C：2.9A (Ta)
- 的Vgs（th ） （最大）@ Id：3V @ 250μA
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-26
- 其他名稱：ZXMP4A57E6TATR
- 開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS：80 mOhm @ 4A, 10V
- FET型：MOSFET P-Channel, Metal Oxide
- 功率 - 最大：1.1W
- 漏極至源極電壓（Vdss）：40V
- 輸入電容（Ciss ） @ VDS：833pF @ 20V
- 閘電荷（Qg ） @ VGS：15.8nC @ 10V
- 封裝/外殼：SOT-23-6
- RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
- 安裝風(fēng)格：SMD/SMT
- 配置：Single
- 晶體管極性：P-Channel
- 源極擊穿電壓：+/- 20 V
- 連續(xù)漏極電流：- 3.7 A
- RDS（ON）：80 mOhms
- 功率耗散：1.1 W
- 最低工作溫度：- 55 C
- 封裝/外殼：SOT-26
- 柵極電荷Qg：7 nC
- 上升時間：3.3 ns
- 最高工作溫度：+ 150 C
- 漏源擊穿電壓：- 40 V
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