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柒號芯城電子商務（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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ZXMP6A13FQTA PDF資料
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- 制造商：Diodes Incorporated
- PDF文件大?。?83.23 Kbytes
- PDF文件頁數：共8頁
- 描述：MOSFET 60V P-Ch Enh Fet 20Vgs 625pD 219pF
ZXMP6A13FQTA技術規(guī)格
- FET特點：Logic Level Gate
- 封裝：Tape & Reel (TR)
- 安裝類型：Surface Mount
- 的Vgs（th ） （最大）@ Id：3V @ 250μA
- 系列：*
- 封裝/外殼：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 供應商設備封裝：SOT-23
- 其他名稱：ZXMP6A13FQTADITR
- 開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS：400 mOhm @ 900mA, 10V
- FET型：MOSFET P-Channel, Metal Oxide
- 功率 - 最大：625mW
- 標準包裝：3,000
- 漏極至源極電壓（Vdss）：60V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C：900mA (Ta)
- 輸入電容（Ciss ） @ VDS：219pF @ 30V
- 閘電荷（Qg ） @ VGS：2.9nC @ 4.5V
- RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
- 工廠包裝數量：3000
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：- 60 V
- 晶體管極性：P-Channel
- Vgs - Gate-Source Voltage：+/- 20 V
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：- 3 V
- Qg - Gate Charge：2.9 nC
- 下降時間：5.7 ns
- 品牌：Diodes Incorporated
- 配置：Single
- 最高工作溫度：+ 150 C
- 正向跨導 - 閔：1.8 S
- Id - Continuous Drain Current：- 1.1 A
- Rds On - Drain-Source Resistance：400 mOhms
- RoHS：RoHS Compliant
- 典型關閉延遲時間：11.2 ns
- 通道模式：Enhancement
- 安裝風格：SMD/SMT
- 最低工作溫度：- 55 C
- Pd - Power Dissipation：806 mW
- 上升時間：2.2 ns
- 技術：Si
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