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柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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ZXMP7A17GQTA PDF資料
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- 制造商：Diodes Incorporated
- PDF文件大?。?47.90 Kbytes
- PDF文件頁數(shù)：共6頁
- 描述：MOSFET 70V P-Ch Enh FET 160Vgs 10V 250mOhm
ZXMP7A17GQTA技術(shù)規(guī)格
- FET特點(diǎn)：Logic Level Gate
- 封裝：Tape & Reel (TR)
- 安裝類型：Surface Mount
- 的Vgs（th ） （最大）@ Id：1V @ 250μA
- 封裝/外殼：TO-261-4, TO-261AA
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-223
- 其他名稱：ZXMP7A17GQTADITR
- 開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS：160 mOhm @ 2.1A, 10V
- FET型：MOSFET P-Channel, Metal Oxide
- 功率 - 最大：2W
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000
- 漏極至源極電壓（Vdss）：70V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C：2.6A (Ta)
- 輸入電容（Ciss ） @ VDS：635pF @ 40V
- 閘電荷（Qg ） @ VGS：18nC @ 10V
- RoHS指令：Contains lead / RoHS Compliant
- 漏源極電壓 (Vdss)：70V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：635pF @ 40V
- 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：160 mOhm @ 2.1A, 10V
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：18nC @ 10V
- FET 功能：Standard
- FET 類型：MOSFET P-Channel, Metal Oxide
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：2.6A (Ta)
- 工廠包裝數(shù)量：1000
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage：- 70 V
- 晶體管極性：P-Channel
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage：- 1 V
- Qg - Gate Charge：18 nC
- Vgs - Gate-Source Voltage：20 V
- 下降時(shí)間：8 ns
- 品牌：Diodes Incorporated
- 通道數(shù)：1 Channel
- 配置：Single
- 最高工作溫度：+ 150 C
- 晶體管類型：1 P-Channel
- 正向跨導(dǎo) - 閔：4.4 S
- Id - Continuous Drain Current：- 2.6 A
- Rds On - Drain-Source Resistance：250 mOhms
- RoHS：RoHS Compliant
- 典型關(guān)閉延遲時(shí)間：27.9 ns
- 通道模式：Enhancement
- 系列：ZXMP7
- 安裝風(fēng)格：SMD/SMT
- 最低工作溫度：- 55 C
- Pd - Power Dissipation：16 W
- 上升時(shí)間：3.4 ns
- 技術(shù)：Si
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