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其他場(chǎng)效應(yīng)管

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SCT040W120G3-4AG碳化硅SiC場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET封裝HiP247-4品牌ST

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南方中研（深圳）科技有限公司

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商品詳情
該碳化硅功率MOSFET器件采用意法半導(dǎo)體先進(jìn)創(chuàng)新的第三代SiC MOSFET技術(shù)開(kāi)發(fā)而成。該器件在整個(gè)溫度范圍內(nèi)具有非常低的RDS（on）、低電容和非常高的開(kāi)關(guān)操作，從而提高了頻率、能效、系統(tǒng)尺寸和重量減輕方面的應(yīng)用性能。

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