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其他場效應管

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供應SCT2H12NZ場效應管 N溝道 1.7kV 3.7A封裝TO-3PF-3品牌ROHM(羅姆)

  • SCT2H12NZ請詢價2025-06-08 05:53
  • ROHM(羅姆)
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南方中研（深圳）科技有限公司

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SCT2H12NZ數(shù)據(jù)手冊
商品詳情
制造商: ROHM Semiconductor  
產(chǎn)品種類: MOSFET  
RoHS:  詳細信息  
技術: SiC  
安裝風格: Through Hole  
封裝 / 箱體: TO-3PFM-3  
晶體管極性: N-Channel  
通道數(shù)量: 1 Channel  
Vds-漏源極擊穿電壓: 1.7 kV  
Id-連續(xù)漏極電流: 3.7 A  
Rds On-漏源導通電阻: 1.15 Ohms  
Vgs - 柵極-源極電壓: - 6 V, + 22 V  
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.6 V  
Qg-柵極電荷: 14 nC  
最小工作溫度: - 55 C  
最大工作溫度: + 175 C  
Pd-功率耗散: 35 W  
通道模式: Enhancement  
系列: SCT2x  
封裝: Tube  
商標: ROHM Semiconductor  
配置: Single  
下降時間: 74 ns  
正向跨導 - 最小值: 0.4 s  
產(chǎn)品: Power MOSFETs  
產(chǎn)品類型: MOSFET  
上升時間: 21 ns  
工廠包裝數(shù)量: 30  
子類別: MOSFETs  
晶體管類型: 1 N-Channel  
類型: N-Channel SiC Power MOSFET  
典型關閉延遲時間: 35 ns  
典型接通延遲時間: 16 ns  
零件號別名: SCT2H12NZ  
單位重量: 11.405 g 

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