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    1889877581818898775818,13612825669廖先生,連敏妹深圳市龍華區(qū)上芬地鐵口融創(chuàng)智匯大廈A座901-902室/深圳市福田區(qū)深紡大廈AB座2樓有谷電子市場B023室01015716

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  • 深圳市芯福林電子科技有限公司

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    1360254970913602549709李生深圳市福田區(qū)華強北路1002號賽格廣場66樓6608B芯福林電子11015898

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  • 深圳市芯世界半導(dǎo)體有限公司

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    13267088774(微信同號)Sam深圳市福田區(qū)華強電子世界1號樓10A8240主營品牌:TI/德州儀器、ST/意法、MICROCHIP/微芯、ADI/亞德諾、ALLEGRO/雅麗高、NXP/恩智浦、ON/安森美、RENESAS/瑞薩、ROHM/羅姆、ALTERA/阿爾特拉、CYPRESS/賽普拉斯、INFINEON/英飛凌、ISS01011808

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  • 制造商:IRF[International Rectifier]
  • PDF文件大?。?96.45 Kbytes
  • PDF文件頁數(shù):共11頁
  • 描述:DirectFET Power MOSFET
AUIRF7648M2TR技術(shù)規(guī)格
  • 封裝/外殼:MG-WDSON-7
  • FET 類型:N 溝道
  • 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):14A(Ta),68A(Tc)
  • 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7 毫歐 @ 41A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.9V @ 150μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):53nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2170pF @ 25V
  • 功率耗散(最大值):2.5W(Ta),63W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 系列:HEXFET?
  • FET類型:N 溝道
  • 電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):14A(Ta),68A(Tc)
  • 驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id時的Vgs(th)(最大值):4.9V @ 150μA
  • 不同Vgs時的柵極電荷?(Qg)(最大值):53nC @ 10V
  • 不同Vds時的輸入電容(Ciss)(最大值):2170pF @ 25V
  • 不同?Id,Vgs時的?RdsOn(最大值):7 毫歐 @ 41A,10V
  • 封裝形式Package:Direct-FET
  • 極性Polarity:N-CH
  • 漏源極擊穿電壓VDSS:60V
  • 連續(xù)漏極電流ID:14A
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):53nC
  • 電壓,耦合至柵極電荷(Qg)(最大)@ Vgs:10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2170pF
  • 電壓,耦合至輸入電容(Ciss)(最大) @ Vds:25V
  • 供應(yīng)商器件封裝:DIRECTFET? M4
  • 無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs
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