篩選結(jié)果：供應(yīng)商共有家隨時為您服務(wù)
- 供應(yīng)商
- 型號
- 品牌
- 封裝
- 批號
- 庫存數(shù)量
- 備注
- 詢價
-
柒號芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號華強(qiáng)廣場D座23樓11016516
-
-
-
-
更多收回
BSC060P03NS3EGATMA1 PDF資料
- 資料下載
- 制造商：Infineon Technologies
- PDF文件大小：539.57 Kbytes
- PDF文件頁數(shù)：共9頁
- 描述：MOSFET P-CH 30V 17.7A TDSON-8
BSC060P03NS3EGATMA1技術(shù)規(guī)格
- 系列：OptiMOS??
- FET類型：P 溝道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）：17.7A（Ta），100A（Tc）
- 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
- 不同Id時的Vgs（th）（最大值）：3.1V @ 150μA
- 不同Vgs時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：81nC @ 10V
- 不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：6020pF @ 15V
- Vgs（最大值）：±25V
- 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），83W（Tc）
- 不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：6 毫歐 @ 50A，10V
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：PG-TDSON-8
- 封裝形式Package：TDSON
- 極性Polarity：P-CH
- 漏源極擊穿電壓VDSS：30V
- 連續(xù)漏極電流ID：17.7A
- 漏源電壓（Vdss）：30V
- 供應(yīng)商器件封裝：PG-TDSON-8
- 電壓，耦合至柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs：10V
- 電壓，耦合至輸入電容（Ciss）（最大） @ Vds：15V
- 無鉛情況/RoHs：否
購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
BSC060P03NS3EGATMA1相關(guān)型號
