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柒號芯城電子商務(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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BSC109N10NS3 G PDF資料
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- 制造商:Infineon Technologies
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- PDF文件頁數(shù):共10頁
- 描述:MOSFET N-Ch 100V 63A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC109N10NS3 G技術(shù)規(guī)格
- 制造商:Infineon
- 產(chǎn)品種類:MOSFET
- RoHS:是
- 技術(shù):Si
- 安裝風格:SMD/SMT
- 封裝 / 箱體:TDSON-8
- 通道數(shù)量:1 Channel
- 晶體管極性:N-Channel
- Vds-漏源極擊穿電壓:100 V
- Id-連續(xù)漏極電流:63 A
- Rds On-漏源導通電阻:10.9 mOhms
- 配置:Single
- 商標名:OptiMOS
- 封裝:Cut Tape
- 封裝:MouseReel
- 封裝:Reel
- 高度:1.27 mm
- 長度:5.9 mm
- 系列:OptiMOS 3
- 晶體管類型:1 N-Channel
- 寬度:5.15 mm
- 商標:Infineon Technologies
- 產(chǎn)品類型:MOSFET
- 工廠包裝數(shù)量:5000
- 子類別:MOSFETs
- 零件號別名:BSC109N10NS3GATMA1 BSC19N1NS3GXT SP000778132
- 單位重量:300 mg
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