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  • 描述:IGBT-Modules
BSM400GA170DL技術(shù)規(guī)格
  • 產(chǎn)品IGBT Silicon Modules
  • 配置Single Dual Emitter
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO1700 V
  • 在25 C的連續(xù)集電極電流800 A
  • 最大工作溫度+ 125 C
  • 柵極/發(fā)射極最大電壓+/- 20 V
  • 最小工作溫度- 40 C
  • 安裝風(fēng)格Screw
  • 工廠包裝數(shù)量10
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