篩選結(jié)果:供應(yīng)商共有家隨時(shí)為您服務(wù)
- 供應(yīng)商
- 型號(hào)
- 品牌
- 封裝
- 批號(hào)
- 庫(kù)存數(shù)量
- 備注
- 詢價(jià)
-
柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
-
-
-
-
更多收回
BSM50GAL120DN2 PDF資料
- 資料下載
- 制造商:SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
- PDF文件大小:62.94 Kbytes
- PDF文件頁(yè)數(shù):共5頁(yè)
- 描述:IGBT Power Module (Single switch with chopper diode Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)
BSM50GAL120DN2技術(shù)規(guī)格
- 制造商:Infineon
- 產(chǎn)品種類:IGBT 模塊
- RoHS:是
- 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules
- 配置:Half Bridge
- 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V
- 集電極—射極飽和電壓:2.5 V
- 在25 C的連續(xù)集電極電流:78 A
- 柵極—射極漏泄電流:400 nA
- Pd-功率耗散:400 W
- 封裝 / 箱體:Half Bridge GAL 1
- 最小工作溫度:- 40 C
- 最大工作溫度:+ 150 C
- 封裝:Tray
- 高度:30.5 mm
- 長(zhǎng)度:94 mm
- 寬度:34 mm
- 商標(biāo):Infineon Technologies
- 安裝風(fēng)格:Chassis Mount
- 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V
- 產(chǎn)品類型:IGBT Modules
- 工廠包裝數(shù)量:10
- 子類別:IGBTs
- 零件號(hào)別名:BSM50GAL120DN2HOSA1 SP000101727
- 單位重量:250 g
購(gòu)買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚?xiě)詢價(jià)信息:(3分鐘左右您將得到回復(fù))
BSM50GAL120D相關(guān)型號(hào)