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柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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BSZ060NE2LS_15 PDF資料
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- 制造商：INFINEON[Infineon Technologies AG]
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- PDF文件頁(yè)數(shù)：共1頁(yè)
- 描述：Material Content Data Sheet
BSZ060NE2LSATMA1技術(shù)規(guī)格
- 制造商:Infineon
- 產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
- RoHS:是
- 技術(shù):Si
- 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
- 封裝 / 箱體:PG-TSDSON-8
- 通道數(shù)量:1 Channel
- 晶體管極性:N-Channel
- Vds-漏源極擊穿電壓:25 V
- Id-連續(xù)漏極電流:40 A
- Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:6 mOhms
- Vgs th-柵源極閾值電壓:1.2 V
- Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
- Qg-柵極電荷:9.1 nC
- 最小工作溫度:- 55 C
- 最大工作溫度:+ 150 C
- Pd-功率耗散:26 W
- 配置:Single
- 通道模式:Enhancement
- 商標(biāo)名:OptiMOS
- 封裝:Cut Tape
- 封裝:MouseReel
- 封裝:Reel
- 高度:1.1 mm
- 長(zhǎng)度:3.3 mm
- 晶體管類(lèi)型:1 N-Channel
- 寬度:3.3 mm
- 商標(biāo):Infineon Technologies
- 正向跨導(dǎo) - 最小值:34 S
- 下降時(shí)間:1.8 ns
- 產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET
- 上升時(shí)間:2.2 ns
- 工廠包裝數(shù)量:5000
- 子類(lèi)別:MOSFETs
- 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:11 ns
- 典型接通延遲時(shí)間:2.5 ns
- 零件號(hào)別名:BSZ060NE2LS BSZ6NE2LSXT SP000776122
- 單位重量:35.300 mg
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