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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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BSZ0704LSATMA1 PDF資料
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- 制造商:Infineon Technologies
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- 描述:表面貼裝型 N 通道 60 V 11A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),36W(Tc) PG-TDSON-8 FL
BSZ0704LSATMA1技術(shù)規(guī)格
- 制造商Infineon Technologies
- 系列OptiMOS?
- 包裝卷帶(TR)
- FET 類(lèi)型N 通道
- 技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)
- 漏源電壓(Vdss)60 V
- 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)11A(Ta),40A(Tc)
- 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值)9.9 毫歐 @ 20A,10V
- 不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值)2.3V @ 14μA
- 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)8.6 nC @ 4.5 V
- Vgs(最大值)±20V
- 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)1300 pF @ 30 V
- FET 功能-
- 功率耗散(最大值)2.1W(Ta),36W(Tc)
- 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類(lèi)型表面貼裝型
- 供應(yīng)商器件封裝PG-TDSON-8 FL
- 封裝/外殼8-PowerTDFN
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