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柒號芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號華強(qiáng)廣場D座23樓11016516
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BSZ086P03NS3E G PDF資料
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- 制造商：Infineon Technologies
- PDF文件大小：549.98 Kbytes
- PDF文件頁數(shù)：共9頁
- 描述：MOSFET P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3
BSZ086P03NS3E G技術(shù)規(guī)格
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：4785pF @ 15V
- Vgs（最大值）：±25V
- 功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），69W（Tc）
- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：8.6 毫歐 @ 20A，10V
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：PG-TSDSON-8
- FET 類型：P 溝道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源極電壓（Vdss）：30V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：13.5A（Ta），40A（Tc）
- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：3.1V @ 105μA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：57.5nC @ 10V
- 安裝風(fēng)格：SMD/SMT
- 通道數(shù)量：1Channel
- 晶體管極性：P-Channel
- Id-連續(xù)漏極電流：40A
- Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：6.5mOhms
- Vgs th-柵源極閾值電壓：3.1V
- Vgs - 柵極-源極電壓：25V
- Qg-柵極電荷：57.5nC
- 最小工作溫度：-55C
- 最大工作溫度：+150C
- 配置：Single
- Pd-功率耗散：69W
- 通道模式：Enhancement
- 商標(biāo)名：OptiMOS
- 封裝：CutTape
- 高度：1.1mm
- 長度：3.3mm
- 系列：OptiMOSP3
- 晶體管類型：1P-Channel
- 正向跨導(dǎo) - 最小值：30S
- 下降時(shí)間：8ns
- 上升時(shí)間：46ns
- 典型關(guān)閉延遲時(shí)間：35ns
- 典型接通延遲時(shí)間：16ns
- 無鉛情況/RoHs：否
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