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    BSZ076N06NS3G

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  • InfineonTechnologies 
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  • 深圳市明烽威電子有限公司

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  • INFINEN 
  • QFN8 
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  • 只做進口原裝 

BSZ076N06NS3G PDF資料
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  • 制造商:INFINEON[Infineon Technologies AG]
  • PDF文件大?。?48.74 Kbytes
  • PDF文件頁數(shù):共9頁
  • 描述:OptiMOS3 Power-Transistor
BSZ076N06NS3G技術(shù)規(guī)格
  • 制造商:Infineon
  • 產(chǎn)品種類:MOSFET
  • RoHS:
  • 商標(biāo):Infineon Technologies
  • Id-連續(xù)漏極電流:20 A
  • Vds-漏源極擊穿電壓:60 V
  • Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:7.6 mOhms
  • 晶體管極性:N-Channel
  • Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V
  • Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V
  • Qg-柵極電荷:37 nC
  • 最大工作溫度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:69 W
  • 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體:TDSON-8
  • 封裝:Reel
  • 通道模式:Enhancement
  • 配置:Single
  • 下降時間:5 ns
  • 正向跨導(dǎo) - 最小值:39 S, 20 S
  • 最小工作溫度:- 55 C
  • 上升時間:40 ns
  • 系列:OptiMOS 3
  • 工廠包裝數(shù)量:5000
  • 商標(biāo)名:OptiMOS
  • 典型關(guān)閉延遲時間:20 ns
  • 典型接通延遲時間:15 ns
  • 零件號別名:BSZ076N06NS3GATMA1 BSZ076N06NS3GXT SP000454420
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