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柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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BSZ0904NSIATMA1 PDF資料
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- 制造商：Infineon Technologies
- PDF文件大小：613.46 Kbytes
- PDF文件頁(yè)數(shù)：共9頁(yè)
- 描述：MOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
BSZ0904NSIATMA1技術(shù)規(guī)格
- FET 類型：N 溝道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：30V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：18A（Ta），40A（Tc）
- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 250μA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：11nC @ 4.5V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：1463pF @ 15V
- FET 功能：肖特基二極管（體）
- 功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），37W（Tc）
- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：4 毫歐 @ 30A，10V
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝
- 供應(yīng)商器件封裝：PG-TSDSON-8-FL
- 封裝/外殼：PG-TSDSON-8
- 通道類型：N
- 最大連續(xù)漏極電流：40 A
- 最大漏源電壓：30 V
- 最大漏源電阻值：5.7 m0hms
- 最大柵閾值電壓：2V
- 最小柵閾值電壓：1.2V
- 最大柵源電壓：-20 V、+20 V
- 封裝類型：TSDSON
- 引腳數(shù)目：8
- 晶體管配置：單
- 通道模式：增強(qiáng)
- 類別：功率 MOSFET
- 最大功率耗散：37 W
- 高度：1.1mm
- 每片芯片元件數(shù)目：1
- 尺寸：3.4 x 3.4 x 1.1mm
- 寬度：3.4mm
- 系列：OptiMOS
- 晶體管材料：Si
- 典型柵極電荷@Vgs：8.5 nC @ 4.5
- 典型輸入電容值@Vds：1100 pF @ 15 V
- 典型關(guān)斷延遲時(shí)間：16 ns
- 典型接通延遲時(shí)間：3.3 ns
- 最低工作溫度：-55 °C
- 最高工作溫度：+150 °C
- 無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs
購(gòu)買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚懺儍r(jià)信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
BSZ0904NSIATMA1相關(guān)型號(hào)
