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    13年

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  • 深圳市微碧半導(dǎo)體有限公司

    4年

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  • 深圳市盛華科展電子有限公司

    4年

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  • 深圳市程方電子科技有限公司

    12年

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  • 深圳市維基鴻電子有限公司

    7年

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  • InfineonTechnologies　
  • 原裝　
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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司

    10年

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  • 中山市翔美達(dá)電子科技有限公司

    7年

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  • Infineon　
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  • 萬三科技（深圳）有限公司

    7年

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  • Infineon　
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  • 深圳市驚羽科技有限公司

    5年

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  • 深圳市驚羽科技有限公司

    5年

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  • INFINEON-英飛凌　
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  • 深圳市金華微盛電子有限公司

    4年

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  • INFINEON/英飛凌　
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  • 深圳市祥億豐創(chuàng)展電子有限公司

    5年

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  • 深圳市聯(lián)芯邦科技有限公司

    6年

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  • 深圳市芯福林電子科技有限公司

    8年

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  • BSZ086P03NS3E G 有2條相似型號信息
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  • DFN-8(3.3x3.3)　
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  • 深圳市芯世界半導(dǎo)體有限公司

    10年

    13267088774(微信同號)Sam深圳市福田區(qū)華強(qiáng)電子世界1號樓10A8240主營品牌：TI/德州儀器、ST/意法、MICROCHIP/微芯、ADI/亞德諾、ALLEGRO/雅麗高、NXP/恩智浦、ON/安森美、RENESAS/瑞薩、ROHM/羅姆、ALTERA/阿爾特拉、CYPRESS/賽普拉斯、INFINEON/英飛凌、ISS01011808

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  • Infineon Technologies　
  • 原廠原包　
  • 19+　
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  • 只做原裝　

BSZ086P03NS3E G PDF資料
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  • 制造商：Infineon Technologies
  • PDF文件大?。?49.98 Kbytes
  • PDF文件頁數(shù)：共9頁
  • 描述：MOSFET P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3
BSZ086P03NS3E G技術(shù)規(guī)格
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：4785pF @ 15V
  • Vgs（最大值）：±25V
  • 功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），69W（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：8.6 毫歐 @ 20A，10V
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 封裝/外殼：PG-TSDSON-8
  • FET 類型：P 溝道
  • 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源極電壓（Vdss）：30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：13.5A（Ta），40A（Tc）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：3.1V @ 105μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：57.5nC @ 10V
  • 安裝風(fēng)格：SMD/SMT
  • 通道數(shù)量：1Channel
  • 晶體管極性：P-Channel
  • Id-連續(xù)漏極電流：40A
  • Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：6.5mOhms
  • Vgs th-柵源極閾值電壓：3.1V
  • Vgs - 柵極-源極電壓：25V
  • Qg-柵極電荷：57.5nC
  • 最小工作溫度：-55C
  • 最大工作溫度：+150C
  • 配置：Single
  • Pd-功率耗散：69W
  • 通道模式：Enhancement
  • 商標(biāo)名：OptiMOS
  • 封裝：CutTape
  • 高度：1.1mm
  • 長度：3.3mm
  • 系列：OptiMOSP3
  • 晶體管類型：1P-Channel
  • 正向跨導(dǎo) - 最小值：30S
  • 下降時(shí)間：8ns
  • 上升時(shí)間：46ns
  • 典型關(guān)閉延遲時(shí)間：35ns
  • 典型接通延遲時(shí)間：16ns
  • 無鉛情況/RoHs：否
購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r(jià)信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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