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    BSZ0904NSIATMA1

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    10年

    13267088774(微信同號(hào))Sam深圳市福田區(qū)華強(qiáng)電子世界1號(hào)樓10A8240主營(yíng)品牌：TI/德州儀器、ST/意法、MICROCHIP/微芯、ADI/亞德諾、ALLEGRO/雅麗高、NXP/恩智浦、ON/安森美、RENESAS/瑞薩、ROHM/羅姆、ALTERA/阿爾特拉、CYPRESS/賽普拉斯、INFINEON/英飛凌、ISS01011808

  • BSZ0904NSIATMA1
  • Infineon　
  • PG-TSDSON-8-FL　
  • 19+　
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  • 只做原裝　

BSZ0904NSIATMA1 PDF資料
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  • 制造商：Infineon Technologies
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  • PDF文件頁(yè)數(shù)：共9頁(yè)
  • 描述：MOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
BSZ0904NSIATMA1技術(shù)規(guī)格
  • FET 類型：N 溝道
  • 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）：30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：18A（Ta），40A（Tc）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：11nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：1463pF @ 15V
  • FET 功能：肖特基二極管（體）
  • 功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），37W（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：4 毫歐 @ 30A，10V
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 供應(yīng)商器件封裝：PG-TSDSON-8-FL
  • 封裝/外殼：PG-TSDSON-8
  • 通道類型：N
  • 最大連續(xù)漏極電流：40 A
  • 最大漏源電壓：30 V
  • 最大漏源電阻值：5.7 m0hms
  • 最大柵閾值電壓：2V
  • 最小柵閾值電壓：1.2V
  • 最大柵源電壓：-20 V、+20 V
  • 封裝類型：TSDSON
  • 引腳數(shù)目：8
  • 晶體管配置：單
  • 通道模式：增強(qiáng)
  • 類別：功率 MOSFET
  • 最大功率耗散：37 W
  • 高度：1.1mm
  • 每片芯片元件數(shù)目：1
  • 尺寸：3.4 x 3.4 x 1.1mm
  • 寬度：3.4mm
  • 系列：OptiMOS
  • 晶體管材料：Si
  • 典型柵極電荷@Vgs：8.5 nC @ 4.5
  • 典型輸入電容值@Vds：1100 pF @ 15 V
  • 典型關(guān)斷延遲時(shí)間：16 ns
  • 典型接通延遲時(shí)間：3.3 ns
  • 最低工作溫度：-55 °C
  • 最高工作溫度：+150 °C
  • 無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs
購(gòu)買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚懺儍r(jià)信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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