�Y�x�Y(ji��)���������̹������S�r��������
- ������
- ��̖
- Ʒ��
- ���b
- ��̖
- ��攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r
-
��̖о������̄գ����ڣ�����˾
13��
0755-8366305618922805453��18929374037��18922803401�B0755-82537787�����и���^(q��)�A����·1019̖�A���V��D��23��11016516
-
-
-
-
�����ջ�
BSZ160N10NS3G PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�INFINEON[Infineon Technologies AG]
- PDF�������254.56 Kbytes
- PDF�ļ�퓔�(sh��)����9�
- ������OptiMOS3 Power-Transistor
BSZ160N10NS3G���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- ������:Infineon
- �a(ch��n)Ʒ�N�:MOSFET
- RoHS:��
- �̘�:Infineon Technologies
- Id-�B�m(x��)©�O���:8 A
- Vds-©Դ�O����늉�:100 V
- Rds On-©Դ��ͨ���:16 mOhms
- ���w�ܘO��:N-Channel
- Vgs-��Դ�O����늉� :20 V
- ������ض�:+ 150 C
- Pd-���ʺ�ɢ:2.1 W
- ���b�L��:SMD/SMT
- ���b / ���w:TSDSON-8
- ���b:Reel
- ͨ��ģʽ:Enhancement
- ����:Single Quad Drain Triple Source
- �½��r�g:5 ns
- ��С�����ض�:- 55 C
- �����r�g:10 ns
- ϵ��:OptiMOS 3
- ���S���b��(sh��)��:5000
- �̘���:OptiMOS
- �����P(gu��n)�]���t�r�g:22 ns
- ���ͽ�ͨ���t�r�g:13 ns
- ���̖�e��:BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ160N10NS3GXT SP000482390
ُ�I����ԃ�a(ch��n)ƷՈ?zh��)ԃ�r��Ϣ��(3������������õ��؏�)
BSZ160N10NS3G���P(gu��n)��̖