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柒號芯城電子商務(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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BUK6C3R3-75C,118 PDF資料
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- 制造商:Nexperia
- PDF文件大?。?21.79 Kbytes
- PDF文件頁數(shù):共13頁
- 描述:MOSFET N-chan TrenchMOS FET
BUK6C3R3-75C,118技術規(guī)格
- FET 類型:N 溝道
- 技術:MOSFET(金屬氧化物)
- 漏源電壓(Vdss):75V
- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):181A(Tc)
- 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):253nC
- 電壓,耦合至柵極電荷(Qg)(最大)@ Vgs:10V
- Vgs(最大值):±16V
- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):15800pF
- 電壓,耦合至輸入電容(Ciss)(最大) @ Vds:25V
- 功率耗散(最大值):300W(Tc)
- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.4 毫歐 @ 90A,10V
- 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:表面貼裝
- 供應商器件封裝:D2PAK
- 封裝/外殼:TO-263-7,D2Pak(6 引線 + 接片),TO-263CB
- 無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs
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