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  • 深圳市芯冪科技有限公司

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  • 深圳市斌騰達科技有限公司

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  • 深圳市輝華拓展電子有限公司

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  • 深圳市億鴻豐電子科技有限公司

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  • 深圳市高捷半導體有限公司

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  • 上海三崧電子有限公司

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司

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  • 深圳市良普科電子有限公司

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  • 深圳市驚羽科技有限公司

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  • TI/德州儀器 
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  • 深圳市芯世界半導體有限公司

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    13267088774(微信同號)Sam深圳市福田區(qū)華強電子世界1號樓10A8240主營品牌:TI/德州儀器、ST/意法、MICROCHIP/微芯、ADI/亞德諾、ALLEGRO/雅麗高、NXP/恩智浦、ON/安森美、RENESAS/瑞薩、ROHM/羅姆、ALTERA/阿爾特拉、CYPRESS/賽普拉斯、INFINEON/英飛凌、ISS01011808

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BUK6C3R3-75C,118 PDF資料
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  • 制造商:Nexperia
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  • PDF文件頁數(shù):共13頁
  • 描述:MOSFET N-chan TrenchMOS FET
BUK6C3R3-75C,118技術規(guī)格
  • FET 類型:N 溝道
  • 技術:MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):75V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):181A(Tc)
  • 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):253nC
  • 電壓,耦合至柵極電荷(Qg)(最大)@ Vgs:10V
  • Vgs(最大值):±16V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):15800pF
  • 電壓,耦合至輸入電容(Ciss)(最大) @ Vds:25V
  • 功率耗散(最大值):300W(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.4 毫歐 @ 90A,10V
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 供應商器件封裝:D2PAK
  • 封裝/外殼:TO-263-7,D2Pak(6 引線 + 接片),TO-263CB
  • 無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs
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