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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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CPH6337-TL-E PDF資料
- 資料下載
- 制造商:SANYO[Sanyo Semicon Device]
- PDF文件大?。?59.67 Kbytes
- PDF文件頁數(shù):共7頁
- 描述:General-Purpose Switching Device Applications
CPH6337-TL-E技術(shù)規(guī)格
- FET 類型:P 溝道
- 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
- 漏源電壓(Vdss):12V
- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3.5A(Ta)
- 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 1mA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):5.6nC @ 4.5V
- Vgs(最大值):±10V
- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):405pF @ 6V
- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):70 毫歐 @ 1.5A,4.5V
- 工作溫度:150°C(TJ)
- 安裝類型:表面貼裝
- 供應(yīng)商器件封裝:6-CPH
- 封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6
- 無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs
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