中文字幕av无码免费一区_每天上班都是被顶一路的故事_老牛嫩草一区二区三区的区别_1000部做爰免费视频_自制入体小玩具怎么做_人妻av无码一区二区三区_女性变态蕾丝连体开档内衣_精品三级av无码一区_天美传媒春节回家相亲孟孟

�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r(sh��)��������(w��)
����(y��ng)��
��̖(h��o)
Ʒ��
���b
��̖(h��o)
��攵(sh��)��
��ע
ԃ�r(ji��)
�����ջ�

  • �����а������o(j��)������޹�˾

    8��

    0755-8257321018124040553���0755-82573210�����и���^(q��)�к�·����(hu��)܎240611012658

  • CSD18563Q5AT
  • TI��
  • 8-VSON��
  • 19+��
  • 2000��
  • �ǽK�˿������M(f��i)���ӣ�֧��BOM�����ԭ�b��Ʒ��

  • ���������о�Ƽ����޹�˾

    10��

    0755-84875764��13725596657��17503034873�����������и���^(q��)�ϲ����I(y��)�^(q��)501��110311012598

  • CSD18563Q5AT
  • TexasInstruments��
  • ԭ�b��
  • 24+��
  • 11919��
  • ԭ�b��Ʒ��

  • ������о����댧(d��o)�w���޹�˾

    10��

    13267088774(΢��̖ͬ(h��o))Sam�����и���^(q��)�A��(qi��ng)�������1̖(h��o)��10A8240���IƷ�ƣ�TI/���݃x����ST/�ⷨ��MICROCHIP/΢о��ADI/�����Z��ALLEGRO/��������NXP/��������ON/��ɭ����RENESAS/���_��ROHM/�_ķ��ALTERA/����������CYPRESS/ِ����˹��INFINEON/Ӣ�w����ISS01011808

  • CSD18563Q5AT
  • TI��
  • 8-VSONP��5x6����
  • 19+��
  • 5660��
  • ֻ��ԭ�b��

CSD18563Q5A-P PDF�Y��
  • �Y�����d
  • �����̣�TI1[Texas Instruments]
  • PDF�ļ�������825.9 Kbytes
  • PDF�ļ�퓔�(sh��)����13�
  • ������N-Channel NexFET Power MOSFET
CSD18563Q5AT���g(sh��)Ҏ(gu��)��
  • ������:Texas Instruments
  • �a(ch��n)Ʒ�N�:MOSFET
  • RoHS:��
  • ���g(sh��):Si
  • ���b�L(f��ng)��:SMD/SMT
  • ���b / ���w:VSONP-8
  • ͨ����(sh��)��:1 Channel
  • ���w�ܘO��:N-Channel
  • Vds-©Դ�O����늉�:60 V
  • Id-�B�m(x��)©�O���:100 A
  • Rds On-©Դ��(d��o)ͨ���:6.8 mOhms
  • Vgs th-��Դ�O�ֵ늉�:1.7 V
  • Vgs - �ŘO-Դ�O늉�:10 V
  • Qg-�ŘO늺�:15 nC
  • ��С�����ض�:- 55 C
  • ������ض�:+ 150 C
  • Pd-���ʺ�ɢ:116 W
  • ����:Single
  • ͨ��ģʽ:Enhancement
  • �̘�(bi��o)��:NexFET
  • ���b:Cut Tape
  • ���b:MouseReel
  • ���b:Reel
  • �߶�:1 mm
  • �L��:5.75 mm
  • ϵ��:CSD18563Q5A
  • ���w�����:1 N-Channel Power MOSFET
  • ���:NexFET Power MOSFET
  • ����:4.9 mm
  • �̘�(bi��o):Texas Instruments
  • �_�l(f��)�׼�:TPS40170EVM-597
  • �½��r(sh��)�g:1.7 ns
  • �a(ch��n)Ʒ���:MOSFET
  • �����r(sh��)�g:6.3 ns
  • ���S���b��(sh��)��:250
  • ��e:MOSFETs
  • �����P(gu��n)�]���t�r(sh��)�g:11.4 ns
  • ���ͽ�ͨ���t�r(sh��)�g:3.2 ns
  • ��λ����:86.200 mg
ُ�I����ԃ�a(ch��n)ƷՈ(q��ng)?zh��)ԃ�r(ji��)��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
ԃ�r(ji��)��̖(h��o)*��(sh��)��*��̖(h��o)���bƷ������Ҫ��
�h��
�h��
�h��
�h��
�h��
������(sh��)
  •  ��˾����
  • *“(li��n)ϵ�ˣ�
  • *�]�䣺
  • *�Ԓ��
  •  QQ��
  •  ΢�ţ�

����IC�W(w��ng)���������ķ���Ӎ�Ƽ����޹�˾��(d��)���\(y��n)�I

����IC�W(w��ng) ( www.cpg-daxis.com ) ���(qu��n)����?2014-2023 ��ICP��15059004̖(h��o)

���vӍ�������������ܟo������QQ�R�r(sh��)��(hu��)Ԓ�����c(di��n)�ˏ�(f��)��QQ�����Ӻ��ѣ�,���h��ʹ��TT�ھ�ԃ�r(ji��)��

�^�m(x��)����QQ ���_TTԃ�r(ji��)