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IKW25N120T2_13 PDF資料
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  • 制造商:INFINEON[Infineon Technologies AG]
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  • PDF文件頁數(shù):共15頁
  • 描述:IGBT in 2nd generation TrenchStop with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode
IKW25N120T2FKSA1技術(shù)規(guī)格
  • IGBT 類型:溝道
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V
  • 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50A
  • 脈沖電流 - 集電極 (Icm):100A
  • 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.2V @ 15V,25A
  • 功率 - 最大值:349W
  • 開關(guān)能量:2.9mJ
  • 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
  • 柵極電荷:120nC
  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:27ns/265ns
  • 測試條件:600V,25A,16.4 歐姆,15V
  • 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):195ns
  • 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:通孔
  • 封裝/外殼:PG-TO247-3
  • 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO247-3
  • 最大連續(xù)集電極電流:50 A
  • 最大集電極-發(fā)射極電壓:1200 V
  • 最大柵極發(fā)射極電壓:±20V
  • 最大功率耗散:349 W
  • 封裝類型:TO-247
  • 通道類型:N
  • 引腳數(shù)目:3
  • 晶體管配置:
  • 長度:16.13mm
  • 寬度:5.21mm
  • 高度:21.1mm
  • 尺寸:16.13 x 5.21 x 21.1mm
  • 最高工作溫度:+175 °C
  • 最低工作溫度:-40 °C
  • 柵極電容:1600pF
  • 額定能量:4.3mJ
  • 無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs
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