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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場D座23樓11016516
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IKW30N65H5XKSA1 PDF資料
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- 制造商:Infineon Technologies
- PDF文件大小:2.76 Mbytes
- PDF文件頁數(shù):共17頁
- 描述:IGBT 晶體管 Infineon s new TRENCHSTOP 5 IGBT technology redefines Best-in-class IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. The new family is a major breakthrough in IGBT innovation to match the market s high e
IKW30N65H5XKSA1技術(shù)規(guī)格
- IGBT 類型:溝道
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V
- 電流 - 集電極(Ic)(最大值):55A
- 脈沖電流 - 集電極 (Icm):90A
- 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.1V @ 15V,30A
- 功率 - 最大值:188W
- 開關(guān)能量:280μJ(開),100μJ(關(guān))
- 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷:70nC
- 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:20ns/190ns
- 測試條件:400V,15A,23 歐姆,15V
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):70ns
- 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:PG-TO247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO247-3
- 無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs
購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r(jià)信息:(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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