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柒號芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
IPA65R600E6(65E6600)
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IPA65R600E6_16 PDF資料
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- 制造商：INFINEON[Infineon Technologies AG]
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- 描述：Metall Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
IPA65R600E6XKSA1技術(shù)規(guī)格
- 系列：CoolMOS??
- FET類型：N 溝道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）：7.3A（Tc）
- 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id時的Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 210μA
- 不同Vgs時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：23nC @ 10V
- 不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：440pF @ 100V
- Vgs（最大值）：±20V
- 功率耗散（最大值）：28W（Tc）
- 不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：600 毫歐 @ 2.1A，10V
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：PG-TO220-3
- 封裝形式Package：TO-220FP
- 極性Polarity：N-CH
- 漏源極擊穿電壓VDSS：650V
- 連續(xù)漏極電流ID：7.3A
- 漏源電壓（Vdss）：650V
- 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：23nC
- 電壓，耦合至柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs：10V
- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：440pF
- 電壓，耦合至輸入電容（Ciss）（最大） @ Vds：100V
- 供應(yīng)商器件封裝：PG-TO-220-FP
- 無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs
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IPA65R600E6(65E6600)相關(guān)型號
