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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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IPB136N08N3G PDF資料
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- 制造商:INFINEON[Infineon Technologies AG]
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- PDF文件頁(yè)數(shù):共11頁(yè)
- 描述:Power Transistor
IPB136N08N3G技術(shù)規(guī)格
- Status:Active
- 包裝:3TO-263
- 通道模式:Enhancement
- 最大漏源電壓:80 V
- 最大連續(xù)漏極電流:45 A
- RDS -于:13.9@10V mOhm
- 最大門(mén)源電壓:±20 V
- 典型導(dǎo)通延遲時(shí)間:12 ns
- 典型上升時(shí)間:35 ns
- 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:18 ns
- 典型下降時(shí)間:5 ns
- 工作溫度:-55 to 175 °C
- 安裝:Surface Mount
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:Tape & Reel
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