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  • 柒號芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司認(rèn)證

    13年

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    IPB136N08N3GS

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  • 深圳市芯冪科技有限公司

    10年

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  • 深圳市芯世界半導(dǎo)體有限公司

    10年

    13267088774(微信同號)Sam深圳市福田區(qū)華強(qiáng)電子世界1號樓10A8240主營品牌：TI/德州儀器、ST/意法、MICROCHIP/微芯、ADI/亞德諾、ALLEGRO/雅麗高、NXP/恩智浦、ON/安森美、RENESAS/瑞薩、ROHM/羅姆、ALTERA/阿爾特拉、CYPRESS/賽普拉斯、INFINEON/英飛凌、ISS01011808

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  • 深圳市坤融電子有限公司

    17年

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  • 深圳市安富世紀(jì)電子有限公司

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  • 深圳市微碧半導(dǎo)體有限公司

    4年

    0755-8320414118118747668許小姐深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道荔村社區(qū)振興路120號賽 格科技園4棟東5層50211017049

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  • VBSEMI/微碧半導(dǎo)體　
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  • 制造商：INFINEON[Infineon Technologies AG]
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  • 描述：OptiMOS3 Power-Transistor
IPB13N03LB技術(shù)規(guī)格
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000
  • 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭：FET - 單
  • 系列：OptiMOS??
  • 包裝：帶卷（TR）
  • FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能：邏輯電平門
  • 漏源極電壓（Vdss）：30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：30A（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：12.5 毫歐 @ 30A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 20µA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：11nC @ 5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：1355pF @ 15V
  • 功率 - 最大值：52W
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
  • 供應(yīng)商器件封裝：P-TO263-3
  • 其它名稱：IPB13N03LBTSP000064218
購買、咨詢產(chǎn)品請?zhí)顚懺儍r信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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