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  • 柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司認(rèn)證

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  • 深圳和潤(rùn)天下電子科技有限公司

    11年

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  • 深圳市安富世紀(jì)電子有限公司

    8年

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  • 深圳市驚羽科技有限公司

    5年

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  • 集好芯城

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  • INFINEON　
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  • 原廠(chǎng)原裝現(xiàn)貨匹配　

  • 集好芯城

    17年

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  • IPB200N25N
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  • 深圳市芯世界半導(dǎo)體有限公司

    10年

    13267088774(微信同號(hào))Sam深圳市福田區(qū)華強(qiáng)電子世界1號(hào)樓10A8240主營(yíng)品牌：TI/德州儀器、ST/意法、MICROCHIP/微芯、ADI/亞德諾、ALLEGRO/雅麗高、NXP/恩智浦、ON/安森美、RENESAS/瑞薩、ROHM/羅姆、ALTERA/阿爾特拉、CYPRESS/賽普拉斯、INFINEON/英飛凌、ISS01011808

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  • 英飛凌　
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IPB200N25N3 G PDF資料
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  • 制造商：Infineon Technologies
  • PDF文件大?。?98.79 Kbytes
  • PDF文件頁(yè)數(shù)：共11頁(yè)
  • 描述：MOSFET N-Ch 250V 64A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB200N25N3 G技術(shù)規(guī)格
  • 制造商:Infineon
  • 產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
  • RoHS:是
  • 技術(shù):Si
  • 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體:TO-263-3
  • 通道數(shù)量:1 Channel
  • 晶體管極性:N-Channel
  • Vds-漏源極擊穿電壓:250 V
  • Id-連續(xù)漏極電流:64 A
  • Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:17.5 mOhms
  • Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V
  • Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
  • Qg-柵極電荷:86 nC
  • 最小工作溫度:- 55 C
  • 最大工作溫度:+ 175 C
  • Pd-功率耗散:300 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 商標(biāo)名:OptiMOS
  • 封裝:Cut Tape
  • 封裝:MouseReel
  • 封裝:Reel
  • 高度:4.4 mm
  • 長(zhǎng)度:10 mm
  • 系列:OptiMOS 3
  • 晶體管類(lèi)型:1 N-Channel
  • 類(lèi)型:OptiMOS 3 Power-Transistor
  • 寬度:9.25 mm
  • 商標(biāo):Infineon Technologies
  • 正向跨導(dǎo) - 最小值:61 S
  • 下降時(shí)間:12 ns
  • 產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET
  • 上升時(shí)間:20 ns
  • 工廠(chǎng)包裝數(shù)量:1000
  • 子類(lèi)別:MOSFETs
  • 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:45 ns
  • 典型接通延遲時(shí)間:18 ns
  • 零件號(hào)別名:IPB200N25N3GATMA1 IPB2N25N3GXT SP000677896
  • 單位重量:4 g
購(gòu)買(mǎi)、咨詢(xún)產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚?xiě)詢(xún)價(jià)信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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