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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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IPB26CN10NGATMA1 PDF資料
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- 制造商:Infineon Technologies
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- PDF文件頁數(shù):共12頁
- 描述:MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
IPB26CN10NGATMA1技術(shù)規(guī)格
- 封裝:TO263-3
- 極性:N-CH
- 漏源極電壓(Vds):100V
- 連續(xù)漏極電流(Ids):35A
- 安裝方式:Surface Mount
- 包裝方式:100
Tape & Reel (TR)
- 含鉛標準:無鉛
- RoHS標準:符合 RoHS
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