�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r(sh��)��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖(h��o)
- Ʒ��
- ���b
- ��̖(h��o)
- ��攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r(ji��)
IPB50N10S3L16ATMA1 PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�Infineon Technologies
- PDF�ļ���С��186.78 Kbytes
- PDF�ļ�퓔�(sh��)����9�
- ������MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3
IPB50N10S3L16ATMA1���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- FET ��ͣ�N �ϵ�
- ���g(sh��)��MOSFET�����������
- ©Դ늉���Vdss����100V
- ��� - �B�m(x��)©�O��Id����25��C �r(sh��)����50A��Tc��
- �(q��)��(d��ng)늉������ Rds On����С Rds On����4.5V��10V
- ��ͬ Id �r(sh��)�� Vgs��th�������ֵ����2.4V @ 60��A
- ��ͬ Vgs �r(sh��)�ĖŘO늺�?��Qg�������ֵ����64nC @ 10V
- 늉���������ŘO늺ɣ�Qg�������@ Vgs��10V
- Vgs�����ֵ������20V
- ��ͬ Vds �r(sh��)��ݔ����ݣ�Ciss�������ֵ����4180pF @ 25V
- 늉��������ݔ����ݣ�Ciss������� @ Vds��25V
- ���ʺ�ɢ�����ֵ����100W��Tc��
- ��ͬ?Id��Vgs �r(sh��)��?Rds On�����ֵ����15.4 ���W @ 50A��10V
- �����ضȣ�-55��C ~ 175��C��TJ��
- ���b��ͣ������N�b
- ����(y��ng)���������b��PG-TO263-3-2
- ���b/�⚤��PG-TO263-3
- ͨ����ͣ�N
- ����B�m(x��)©�O�����50 A
- ���©Դ늉���100 V
- ���©Դ���ֵ��0.029 0hms
- �����ֵ늉���2.4V
- ��С���ֵ늉���1.2V
- ����Դ늉���-20 V��+20 V
- ���b��ͣ�D2PAK (TO-263)
- ���w�������
- ���_��(sh��)Ŀ��3
- ͨ��ģʽ������(qi��ng)
- e������ MOSFET
- ����ʺ�ɢ��100 W
- �߶ȣ�4.4mm
- ÿƬоƬԪ����(sh��)Ŀ��1
- �ߴ磺10 x 9.25 x 4.4mm
- ���ȣ�9.25mm
- ϵ�У�OptiMOS T
- ���w�ܲ��ϣ�Si
- ���͖ŘO늺�@Vgs��49 nC @ 10 V
- ����ݔ�����ֵ@Vds��3215 pF @ 25 V
- �����P(gu��n)�����t�r(sh��)�g��28 ns
- ���ͽ�ͨ���t�r(sh��)�g��10 ns
- ������ضȣ�-55 ��C
- ��߹����ضȣ�+175 ��C
- �L�ȣ�10mm
- �o�U��r/RoHs���o�U/����RoHs
ُ�I����ԃ�a(ch��n)ƷՈ?zh��)ԃ�r(ji��)��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
IPB50N10S3L-16(2)���P(gu��n)��̖(h��o)