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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
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IPD30N03S4L-09 PDF資料
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- 制造商:INFINEON[Infineon Technologies AG]
- PDF文件大?。?68.66 Kbytes
- PDF文件頁數(shù):共9頁
- 描述:OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPD30N03S4L-09技術(shù)規(guī)格
- 制造商:Infineon
- 產(chǎn)品種類:MOSFET
- RoHS:是
- 技術(shù):Si
- 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
- 封裝 / 箱體:TO-252-3
- 通道數(shù)量:1 Channel
- 晶體管極性:N-Channel
- Vds-漏源極擊穿電壓:30 V
- Id-連續(xù)漏極電流:30 A
- Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:9 mOhms
- Vgs - 柵極-源極電壓:16 V
- 最小工作溫度:- 55 C
- 最大工作溫度:+ 175 C
- Pd-功率耗散:42 W
- 配置:Single
- 通道模式:Enhancement
- 資格:AEC-Q101
- 商標(biāo)名:OptiMOS
- 封裝:Cut Tape
- 封裝:MouseReel
- 封裝:Reel
- 高度:2.3 mm
- 長度:6.5 mm
- 系列:OptiMOS-T2
- 晶體管類型:1 N-Channel
- 寬度:6.22 mm
- 商標(biāo):Infineon Technologies
- 下降時(shí)間:5 ns
- 產(chǎn)品類型:MOSFET
- 上升時(shí)間:1 ns
- 工廠包裝數(shù)量:2500
- 子類別:MOSFETs
- 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:12 ns
- 典型接通延遲時(shí)間:3 ns
- 零件號(hào)別名:IPD30N03S4L09ATMA1 IPD3N3S4L9XT SP000415578
- 單位重量:4 g
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