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IPD49CN10N G PDF資料
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  • 制造商:Infineon Technologies
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  • PDF文件頁數(shù):共12頁
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 20A TO252-3
IPD49CN10N G技術(shù)規(guī)格
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500
  • 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭:FET - 單
  • 系列:OptiMOS??
  • 包裝:帶卷(TR)
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓(Vdss):100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):20A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):49 毫歐 @ 20A,10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 20µA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):16nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1090pF @ 50V
  • 功率 - 最大值:44W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
  • 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO252-3
  • 其它名稱:SP000096459
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