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柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
IPD50P03P4L11(4P03L11)
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IPD50P03P4L11ATMA1 PDF資料
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- 制造商：Infineon Technologies
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- PDF文件頁(yè)數(shù)：共9頁(yè)
- 描述：MOSFET P-CH 30V 50A TO252-3
IPD50P03P4L11ATMA1技術(shù)規(guī)格
- FET 類(lèi)型：P 溝道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：30V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：50A（Tc）
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 85μA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：55nC @ 10V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：3770pF @ 25V
- 功率耗散（最大值）：58W（Tc）
- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：10.5 毫歐 @ 50A，10V
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類(lèi)型：表面貼裝
- 供應(yīng)商器件封裝：PG-TO252-3
- 封裝/外殼：PG-TO252-3
- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- Vgs（最大值）：+5V，-16V
- 通道類(lèi)型：P
- 最大連續(xù)漏極電流：50 A
- 最大漏源電壓：30 V
- 最大漏源電阻值：18 m0hms
- 最大柵閾值電壓：2V
- 最小柵閾值電壓：1V
- 最大柵源電壓：-16 V，+5 V
- 封裝類(lèi)型：DPAK (TO-252)
- 引腳數(shù)目：3
- 晶體管配置：單
- 通道模式：增強(qiáng)
- 類(lèi)別：功率 MOSFET
- 最大功率耗散：58 W
- 高度：2.3mm
- 每片芯片元件數(shù)目：1
- 尺寸：6.5 x 6.22 x 2.3mm
- 寬度：6.22mm
- 系列：OptiMOS P
- 晶體管材料：Si
- 典型柵極電荷@Vgs：42 nC @ 10 V
- 典型輸入電容值@Vds：2900 pF @ -25 V
- 典型關(guān)斷延遲時(shí)間：45 ns
- 典型接通延遲時(shí)間：7 ns
- 最低工作溫度：-55 °C
- 最高工作溫度：+175 °C
- 長(zhǎng)度：6.5mm
- 無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs
購(gòu)買(mǎi)、咨詢(xún)產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚?xiě)詢(xún)價(jià)信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
IPD50P03P4L11(4P03L11)相關(guān)型號(hào)
