�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r(sh��)��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖(h��o)
- Ʒ��
- ���b
- ��̖(h��o)
- ��(k��)�攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ(x��n)�r(ji��)
-
��̖(h��o)о������̄�(w��)�����ڣ�����˾
13��
0755-8366305618922805453��18929374037��18922803401�B0755-82537787�����и���^(q��)�A��(qi��ng)��·1019̖(h��o)�A��(qi��ng)�V��(ch��ng)D��23��11016516
IPD80R3K3P7ATMA1
���
ֱͨ܇(ch��)
-
-
-
-
�����ջ�
IPD80R3K3P7ATMA1 PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�Infineon Technologies
- PDF�������1.20 Mbytes
- PDF��(y��)��(sh��)����13�(y��)
- ������MOSFET
IPD80R3K3P7ATMA1���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- ������:Infineon
- �a(ch��n)Ʒ�N�(l��i):MOSFET
- RoHS:��
- ���g(sh��):Si
- ���b�L(f��ng)��:SMD/SMT
- ���b / ���w:DPAK-3
- ͨ����(sh��)��:1 Channel
- ���w�ܘO��:N-Channel
- Vds-©Դ�O����늉�:800 V
- Id-�B�m(x��)©�O���:1.9 A
- Rds On-©Դ��(d��o)ͨ���:2.8 Ohms
- Vgs th-��Դ�O�ֵ늉�:2.5 V
- Vgs - �ŘO-Դ�O늉�:20 V
- Qg-�ŘO늺�:5.8 nC
- ��С�����ض�:- 55 C
- ������ض�:+ 150 C
- Pd-���ʺ�ɢ:18 W
- ����:Single
- ͨ��ģʽ:Enhancement
- �̘�(bi��o)��:CoolMOS
- ���b:Cut Tape
- ���b:Reel
- ϵ��:CoolMOS P7
- ���w���(l��i)��:1 N-Channel
- �̘�(bi��o):Infineon Technologies
- �½��r(sh��)�g:40 ns
- �a(ch��n)Ʒ�(l��i)��:MOSFET
- �����r(sh��)�g:10 ns
- ���S���b��(sh��)��:2500
- ���(l��i)�e:MOSFETs
- �����P(gu��n)�]���t�r(sh��)�g:40 ns
- ���ͽ�ͨ���t�r(sh��)�g:12 ns
- ���̖(h��o)�e��:IPD80R3K3P7 SP001636440
ُ(g��u)�I(m��i)����ԃ(x��n)�a(ch��n)ƷՈ(q��ng)?zh��)�?xi��)ԃ(x��n)�r(ji��)��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
IPD80R3K3P7ATMA1���P(gu��n)��̖(h��o)