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柒號(hào)芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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IPD80R4K5P7ATMA1 PDF資料
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- 制造商：Infineon Technologies
- PDF文件大小：1.13 Mbytes
- PDF文件頁數(shù)：共13頁
- 描述：MOSFET
IPD80R4K5P7ATMA1技術(shù)規(guī)格
- FET 類型：N 溝道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：800V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：1.5A（Tc）
- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 200μA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：4nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：80pF @ 500V
- FET 功能：超級(jí)結(jié)
- 功率耗散（最大值）：13W（Tc）
- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：4.5 ? @ 400mA，10V
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝
- 供應(yīng)商器件封裝：TO-252
- 封裝/外殼：PG-TO252-3
- 通道類型：N
- 最大連續(xù)漏極電流：1.5 A
- 最大漏源電壓：800 V
- 最大漏源電阻值：4.5 0hms
- 最大柵閾值電壓：3.5V
- 最小柵閾值電壓：2.5V
- 最大柵源電壓：-30 V、+30 V
- 封裝類型：DPAK (TO-252)
- 引腳數(shù)目：3
- 通道模式：增強(qiáng)
- 類別：功率 MOSFET
- 最大功率耗散：13 W
- 典型接通延遲時(shí)間：15 ns
- 典型關(guān)斷延遲時(shí)間：60 ns
- 典型輸入電容值@Vds：80 pF @ 500 V
- 典型柵極電荷@Vgs：4 nC @ 10 V
- 系列：CoolMOS P7
- 每片芯片元件數(shù)目：1
- 最低工作溫度：-55 °C
- 寬度：6.22mm
- 長(zhǎng)度：6.73mm
- 高度：2.41mm
- 正向二極管電壓：0.9V
- 尺寸：6.73 x 6.22 x 2.41mm
- 最高工作溫度：+150 °C
- 無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs
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IPD80R4K5P7AT相關(guān)型號(hào)
