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IRF5800 PDF資料
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  • 制造商:IRF[International Rectifier]
  • PDF文件大小:98.42 Kbytes
  • PDF文件頁數(shù):共8頁
  • 描述:Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.085ohm)
IRF5800技術(shù)規(guī)格
  • 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊:Discrete Power MOSFETs 40V and Below
  • 設(shè)計資源:IRF5800 Saber Model IRF5800 Spice Model
  • 標(biāo)準包裝:100
  • 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭:FET - 單
  • 系列:HEXFET®
  • 包裝:管件
  • FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:邏輯電平門
  • 漏源極電壓(Vdss):30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4A(Ta)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):85 毫歐 @ 4A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):17nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):535pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:2W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:SOT-23-6 細型,TSOT-23-6
  • 供應(yīng)商器件封裝:Micro6?(TSOP-6)
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