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    IRF640L

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  • 深圳市芯世界半導體有限公司

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    13267088774(微信同號)Sam深圳市福田區(qū)華強電子世界1號樓10A8240主營品牌:TI/德州儀器、ST/意法、MICROCHIP/微芯、ADI/亞德諾、ALLEGRO/雅麗高、NXP/恩智浦、ON/安森美、RENESAS/瑞薩、ROHM/羅姆、ALTERA/阿爾特拉、CYPRESS/賽普拉斯、INFINEON/英飛凌、ISS01011808

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  • 深圳市四方電子商行

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  • 深圳市賽爾通科技有限公司

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IRF640L PDF資料
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  • 制造商:IRF[International Rectifier]
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  • PDF文件頁數:共10頁
  • 描述:Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=18A)
IRF640L技術規(guī)格
  • FET 類型:N 溝道
  • 技術:MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):18A(Tc)
  • 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):70nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1300pF @ 25V
  • 功率耗散(最大值):3.1W(Ta),130W(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):180 毫歐 @ 11A,10V
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:通孔
  • 供應商器件封裝:I2PAK
  • 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA
  • 無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs
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