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柒號芯城電子商務(wù)（深圳）有限公司
13年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場D座23樓11016516
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IRF9393TRPBF PDF資料
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- 制造商：IRF[International Rectifier]
- PDF文件大小：262.57 Kbytes
- PDF文件頁數(shù)：共8頁
- 描述：Adaptor Input Switch for Notebook PC
IRF9393TRPBF技術(shù)規(guī)格
- 封裝/外殼：SO8
- FET 類型：P 溝道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：30V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：9.2A（Ta）
- 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V，20V
- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2.4V @ 25μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：38nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±25V
- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：1110pF @ 25V
- 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta）
- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：13.3 毫歐 @ 9.2A，20V
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝
- 供應(yīng)商器件封裝：8-SO
- 通道類型：P
- 最大連續(xù)漏極電流：9.2 A
- 最大漏源電壓：30 V
- 最大漏源電阻值：32.5 m0hms
- 最大柵閾值電壓：2.4V
- 最小柵閾值電壓：1.3V
- 最大柵源電壓：-25 V、+25 V
- 封裝類型：SOIC
- 晶體管配置：單
- 引腳數(shù)目：8
- 通道模式：增強
- 類別：功率 MOSFET
- 最大功率耗散：2.5 W
- 每片芯片元件數(shù)目：1
- 最高工作溫度：+150 °C
- 最低工作溫度：-55 °C
- 高度：1.5mm
- 正向跨導(dǎo)：13S
- 正向二極管電壓：1.2V
- 系列：HEXFET
- 尺寸：5 x 4 x 1.5mm
- 晶體管材料：Si
- 典型柵極電荷@Vgs：25 nC @ 10 V
- 典型輸入電容值@Vds：1110 pF @ -25 V
- 典型關(guān)斷延遲時間：55 ns
- 典型接通延遲時間：16 ns
- 寬度：4mm
- 長度：5mm
- 無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs
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