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柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司
13年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401連0755-82537787深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓11016516
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IRFH7004TR2PBF PDF資料
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- 制造商:Infineon Technologies
- PDF文件大?。?74.19 Kbytes
- PDF文件頁(yè)數(shù):共12頁(yè)
- 描述:MOSFET N CH 40V 100A PQFN5X6
IRFH7004TR2PBF技術(shù)規(guī)格
- 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊:Discrete Power MOSFETs 40V and Below
- 特色產(chǎn)品:StrongIRFET? Power MOSFET Family
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
- 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
- 家庭:FET - 單
- 系列:HEXFET®,StrongIRFET?
- 包裝:剪切帶(CT)
- FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源極電壓(Vdss):40V
- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100A(Tc)
- 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.4 毫歐 @ 100A,10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 150µA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):194nC @ 10V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):6419pF @ 25V
- 功率 - 最大值:156W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-VQFN 裸露焊盤(pán)
- 供應(yīng)商器件封裝:8-PQFN(5x6)
- 其它名稱:IRFH7004TR2PBFCT
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