�Y�x�Y(ji��)��������(y��ng)�̹������S�r(sh��)��������(w��)
- ����(y��ng)��
- ��̖(h��o)
- Ʒ��
- ���b
- ��̖(h��o)
- ��(k��)�攵(sh��)��
- ��ע
- ԃ�r(ji��)
-
��̖(h��o)о������̄�(w��)�����ڣ�����˾
13��
0755-8366305618922805453��18929374037��18922803401�B0755-82537787�����и���^(q��)�A��(qi��ng)��·1019̖(h��o)�A��(qi��ng)�V��(ch��ng)D��23��11016516
IRG4PC50FD-EPBF
���
ֱͨ܇(ch��)
-
-
-
-
�����ջ�
-
������о����댧(d��o)�w����˾
10��
13267088774(��̖ͬ(h��o))Sam�����и���^(q��)�A��(qi��ng)�������1̖(h��o)��10A8240���I(y��ng)Ʒ�ƣ�TI/���݃x����ST/�ⷨ��MICROCHIP/о��ADI/�����Z��ALLEGRO/�����ߡ�NXP/��������ON/��ɭ����RENESAS/���_��ROHM/�_ķ��ALTERA/����������CYPRESS/ِ����˹��INFINEON/Ӣ�w����ISS01011808
-
IRG4PC50FD-EPBF
- International Rectifier��
- ԭ�Sԭ����
- 19+��
- 5660��
- ֻ��ԭ�b��
-


IRG4PC50FD-EPBF PDF�Y��
- �Y�����d
- �����̣�IRF[International Rectifier]
- PDF�ļ���С��763.7 Kbytes
- PDF��(y��)��(sh��)����11�(y��)
- ������INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PC50FD-EPBF���g(sh��)Ҏ(gu��)��
- �a(ch��n)Ʒ��Ӗ(x��n)ģ�K��IGBT Primer Device and Applications High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
- �O(sh��)Ӌ(j��)�YԴ��IRG4PC50FD-EPBF Saber Model IRG4PC50FD-EPBF Spice Model
- ��(bi��o)��(zh��n)���b��25
- e�������댧(d��o)�w�a(ch��n)Ʒ
- ��ͥ��IGBT - ��·
- ϵ�У�-
- ���b���ܼ�
- IGBT ��ͣ�-
- 늉� - ����O���������ֵ����600V
- ��� - ��늘O��Ic�������ֵ����70A
- �}�_��� - ��늘O (Icm)��280A
- ��ͬ?Vge��Ic �r(sh��)��?Vce��on����1.6V @ 15V��39A
- ���� - ���ֵ��200W
- �_(k��i)�P(gu��n)������1.5mJ���_(k��i)����2.4mJ���P(gu��n)��
- ݔ����ͣ���(bi��o)��(zh��n)
- �ŘO늺ɣ�190nC
- 25��C �r(sh��) Td���_(k��i)/�P(gu��n)��ֵ��55ns/240ns
- �y(c��)ԇ�l����480V��39A��5 �Wķ��15V
- ����֏�(f��)�r(sh��)�g��trr����50ns
- ���b/�⚤��TO-247-3
- ���b��ͣ�ͨ��
- ����(y��ng)���������b��TO-247AC
- �������Q��IRG4PC50FDEPBF
ُ(g��u)�I(m��i)����ԃ�a(ch��n)ƷՈ(q��ng)?zh��)�?xi��)ԃ�r(ji��)��Ϣ��(3������������õ��؏�(f��))
IRG4PC50FD-EPBF���P(gu��n)��̖(h��o)